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    首页 » 半导体芯片 »三星电子将于Q3出样CXL 3.1内存模块,计划Q4量产

    三星电子将于Q3出样CXL 3.1内存模块,计划Q4量产

    2026-06-11 23:35:53 出处:中国闪存网
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    中国闪存网消息,据韩媒TheElec报道,三星电子计划于2026年第三季度,向全球主要服务器及数据中心厂商批量交付支持CXL 3.1标准的下一代内存模块(CMM-D)样品,待通过客户质量认证后,最快于第四季度启动量产,敲定生产规模与出货计划。

    TheElec原文援引业内消息称,三星电子拟最快在第四季度,启动CXL 3.1 标准内存产品量产工作;同时计划于第三季度,率先对外送样旗下新一代 CMM-D 内存模块,该产品原生支持 CXL 3.1 规范。

    CXL是基于PCIe的高速互连技术,可实现CPU、内存与GPU间的高速数据传输,已成为下一代AI服务器与数据中心的核心标准架构。此次三星推出的CMM-D 3.1模块,相较上代CXL 2.0产品性能翻倍:单通道带宽达72GB/s(PCIe 6.0),最大容量提升至1TB,可满足AI训练、大数据分析等高带宽、高容量需求。

    三星在CXL领域布局已久,2023年5月已完成CMM-D 2.0样品开发,并向微软、谷歌、亚马逊等40余家全球云厂商及戴尔、超微等服务器企业供货。此次CXL 3.1版本将延续客户基础,聚焦AI服务器与数据中心场景,依托内存池化特性,支持多处理器按需共享内存资源,大幅提升内存利用率并降低TCO。

    行业分析指出,随着AI算力需求爆发,HBM与CXL已成为存储厂商竞争核心。三星此次CXL 3.1 CMM-D的样品交付与量产计划,将进一步巩固其在高端内存市场的领先地位,助力数据中心构建更高效、灵活的内存扩展体系,推动CXL生态在AI时代的规模化落地。

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